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제품문의
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MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)은 ROM, NAND Flash와 같은 비휘발성 메모리로 전원공급이 차단 되어도 데이터를 유지합니다. 또한 데이터 읽기/쓰기 동작 시, 별도의 대기(Delay Time) 시간이 요구되지 않고, 메모리 셀의 노화가 없어 영구적 데이터 저장이 가능한 메모리 반도체입니다. (자기저항원리 이용)

제품 특징

  • 표준 CMOS공정 처리에 집적되는 MRAM
    • MRAM은 자기저장원리(Magnetic Storage Elements)를 기반으로 CMOS공정 처리에 집적되어 제작됩니다. 각 기억 소자는 메모리 셀을 위해 자기터널접합(Magnetic Tunnel Junction) 소자를 사용합니다.
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  • 자기 터널 접합 저장 원리 (Magnetic Tunnel Junction Storage Element)
    • 자기터널접합(MTJ) 기억 소자는 “고정 자성층(Fixed Magnetic Layer)”, “유전체 터널 장벽(Thin Dielectric Tunnel)” 및 “자유 자성층(Free Magnetic Layer)”으로 구성됩니다. 바이어스가 MTJ에 인가 될 때, 자성층에 의해 회전 분극(Spin Polarized)된 전자는 터널링(tunneling)으로 알려진 과정을 통해 유전체 장벽을 통과 합니다. MTJ소자는 자유 층의 “자기 모멘트(magnetic moment)가 고정 층에 평행 할 때 낮은 저항을 가지며, 자유 층 모멘트가 고정 된 층 모멘트에 역 평행하게 될 때 높은 저항을 갖습니다. 이 장치의 자기 상태에 대한 저항의 변화는 자기 저항이라고 알려진 효과이며 "자기저항RAM(Magnetoresistive RAM)”이라고 부릅니다.
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  • 신뢰할 수 있는 MRAM 기술
    • 다른 반도체 메모리 기술과는 달리 데이터는 전하가 아닌 자기(Magnetic)상태로 저장되며, 자기(Magnetic) 상태의 교란없이 저항값을 측정하는 것으로 데이터가 감지됩니다. 데이터 보관을 위해 자기(Magnetic)상태를 사용하는 데는 두 가지 주요 이점이 있습니다.

      첫째, 자기 분극화는 전하처럼 시간이 지남에 따라 누설되지 않으므로 정보가 전원이 꺼지더라도 저장됩니다. 둘째, 두 상태 사이의 자기 분극을 바꾸는 것은 전자 또는 원자의 실제 이동을 포함하지 않으므로 NAND Flash와 같은 ‘메모리 셀 사용 균등화 알고리즘(wear-leveling)’ 메카니즘이 요구되지 않습니다.
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제품 목록

Parallel Interface
Density I/O Grade VDD Temperature Packages Data Sheet
256KD x8 Commercial 3.3 0 to +70 C 44-TSOP2, 48-BGA MR256A08B
Industrial 3.3 -40 to +85 C 44-TSOP2, 48-BGA
Commercial 3.3 / 1.8 0 to +70 C 48-BGA BR256D08B
Commercial 2.7 / 1.65 0 to +70 C 48-BGA MR256DL08B
1Mb x8 Commercial 3.3 0 to +70 C 44-TSOP2, 48-BGA MR0A08B
Industrial 3.3 -40 to +85 C 44-TSOP2, 48-BGA
Commercial 3.3 / 1.8 0 to +70 C 48-BGA MR0D08B
Commercial 2.7 / 1.65 0 to +70 C 48-BGA MR0DL08B
x16 Commercial 3.3 0 to +70 C 44-TSOP2, 48-BGA MR0A16A
Industrial 3.3 -40 to +85 C 44-TSOP2, 48-BGA
Extended 3.3 -40 to +105 C 44-TSOP2, 48-BGA
AEC Q-100 Grade 1 3.3 -40 to +125 C 44-TSOP2
4Mb x8 Commercial 3.3 0 to +70 C 44-TSOP2, 48-BGA MR0A08B
Commercial 3.3 / 1.8 0 to +70 C 48-BGA
Commercial 2.7 / 1.65 0 to +70 C 48-BGA
x16 Commercial 3.3 0 to +70 C 44-TSOP2, 48-BGA MR0A16A
Industrial 3.3 -40 to +85 C 44-TSOP2, 48-BGA
Extended 3.3 -40 to +105 C 44-TSOP2, 48-BGA
AEC Q-100 Grade 1 3.3 -40 to +125 C 44-TSOP2
16Mb x8 Commercial 3.3 0 to +70 C 44-TSOP2, 48-BGA MR4A08B
Industrial 3.3 -40 to +125 C 44-TSOP2, 48-BGA
Industrial 3.3 -40 to +85 C 44-TSOP2, 48-BGA MR4A08BUYS45
x16 Commercial 3.3 0 to +70 C 54-TSOP2, 48-BGA MR4A16B
Industrial 3.3 -40 to +85 C 54-TSOP2, 48-BGA
Industrial 3.3 -40 to +125 C 54-TSOP2 MR4A16BUYS45
Parallel Interface
Density I/O Grade VDD Temperature Packages Data Sheet
128kb 40MHz Industrial 3.3 -40 to +85 C 8-DFN MR25H128A
AEC Q-100 Grade 3 3.3 -40 to +85 C 8-DFN
AEC Q-100 Grade 1 3.3 -40 to +125 C 8-DFN
256kb 40MHz Industrial 3.3 -40 to +85 C 8-DFN MR25H256
AEC Q-100 Grade 1 3.3 -40 to +125 C 8-DFN
Industrial 3.3 -40 to +85 C 8-DFN MR25H256A
AEC Q-100 Grade 3 3.3 -40 to +85 C 8-DFN
AEC Q-100 Grade 1 3.3 -40 to +125 C 8-DFN
1Mb 40MHz Industrial 3.3 -40 to +85 C 8-DFN MR25H10
AEC Q-100 Grade 1 3.3 -40 to +125 C 8-DFN
Quad SPI
104 MHZ
Commercial 3.3 / 1.8 0 to +70 C 16-SOIC, 24-BGA MR10Q010
Industrial 3.3 / 1.8 -40 to +85 C 16-SOIC, 24-BGA
4Mb 50MHz Industrial 3.3 -40 to +85 C 8-DFN MR25H40
40 MHZ Industrial 3.3 -40 to +85 C 8-DFN
Extended 3.3 -40 to +125 C 8-DFN
AEC Q-100 Grade 1 3.3 -40 to +125 C 8-DFN

제품 활용 예시

  • 산업용 로봇 팔의 관절 위치 저장

    매 시간 변화하는 로봇 팔 각 관절의 위치정보를 MRAM에 저장하여 로봇 팔 시스템 재부팅 시, 로봇의 초기 이동 작업을 최소화 하여 최적의 로봇 운영 환경을 제공합니다.

  • 산업 제어기의 신호 변화 모니터링 저장

    수시로 변화하는 아날로그 신호(예: 전력)를 분석하기 위해 샘플링하여 취득한 데이터를 분, 시간, 일(day) 단위로 MRAM에 저장합니다. 저장된 데이터는 가공을 거쳐 모니터링/분석에 활용되며 MRAM의 빠른 속도와 내구성이 원활한 신호 분석을 가능하게 합니다.

제품 적용 사례

Dell


RAID-on-Chip Journal Memory

‘DELL Computer’는 향상된 데이터 센터 오류 복구를 지원하기 위해 비휘발성, 빠른 쓰기 속도를 지원하는 MRAM을 선택했습니다. DELL은 메모리 셀 사용 균등화 알고리즘(wear-leveling) 또는 ECC의 부하가 없는 MRAM을 통해 시스템 가동 중단 시간을 줄이고 총 소유 비용 (TCO)을 절감 할 수 있었습니다.

Koyo


RAID-on-Chip Journal Memory

'Koyo 전자공업사'의 새로운 'Direct Logic 205 PLC'는 열악한 환경에서 데이터 무결성과 신뢰성을 제공하는 1Mb MRAM을 사용했습니다. 이를 통해, 정전이 발생할 경우 배터리 없이도 즉각적인 이벤트를 저장할 수 있게 되었습니다.

BMW


Engine Control Module

'BMW 모터스포츠'는 오토바이 경주에서 발생하는 고온 환경에서 작동 할 정도로 견고하고, 실시간으로 데이터를 읽거나 쓸 수 있을 정도로 빠른 AEC-Q100 Grade 1 옵션의 4Mb MRAM을 '1000RR Superbike’ 용 저장장치로 선택했습니다.

제품 적용 산업 분야

Automotive Professional Audio Industrial Computing
Enterprise SSD Medical Factory Automatio
Smart Meters RAID Gaming